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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測(cè)器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過光學(xué)浸沒來提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2024-12-06
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問量:1476
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品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材/家具,電子/電池

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光探測(cè)器,通過光學(xué)浸沒來提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。 

光譜響應(yīng)
2.15-3.5um
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm

可配專用前置放大器

高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性

帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,提升探測(cè)器的性能


產(chǎn)品應(yīng)用

熱成像

FTIR光譜學(xué)

激光外差探測(cè)

中紅外氣體分析



參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

最佳波長(zhǎng)λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

峰值波長(zhǎng)

Peak wavelength λpeak, µm

2.95±0.3

4.7±0.3

截止波長(zhǎng)

Cut-off wavelength λcut-off (10 %), µm

3.5±0.2

5.5±0.2

探測(cè)率Detectivity D* (λpeak), cm·Hz1/2/W

≥5×1010

≥5×109

電流響應(yīng)度Ri (λpeak), A/W


≥1.1

≥1.2

時(shí)間常數(shù)T,ns

≤20

≤15

電阻R,Ω

PVIA-3≥2K, PVIA-5 ≥70

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO39

接收角Φ

~36°

窗口


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PVIA.png


封裝及尺寸

TO39型封裝外形尺寸圖


PVIA1.pngPVIA2.png


下載

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